Матвеев

-Василий,что вы скажите о 22-нанометровом техпроцессе производства?Одно из центральных мест на Форуме IDF 2009 было уделено новому, 22-нм техпроцессу производства, который будет освоен уже в 2011 году. В первый же день форума президент и генеральный директор корпорации Intel Пол Отеллини (Paul Otellini) выступил с докладом, в котором представил первые в мире кристаллы микросхем SRAM-памяти, изготовленных в соответствии с нормами 22-нм технологического процесса. Каждая микросхема такой SRAM-памяти содержит 2,9 млрд транзисторов.В настоящее время компания Intel освоила 22-нм техпроцесс производства ячеек SRAM-памяти площадью 0,108 и 0,092 мкм2, которые функционируют в составе массивов емкостью 364 Мбит. Ячейка площадью 0,108 мкм2 оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм2 является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.Самое удивительное заключается в том, что в основе 22-нм техпроцесса производства будет лежать 193-нм иммерсионная литография (иммерсионная DUV-литография). Ведь еще несколько лет назад никто бы не поверил, что такое вообще возможно. Причем представители компании Intel тоже говорили о необходимости перехода с DUV- на ЕUV-литографию, и казалось.......

-ЗАМУЖ ,ДУРА,ЗАМУЖ!!!!!